[发明专利]增强型复合栅晶体管及其制作方法在审
申请号: | 202010735319.4 | 申请日: | 2020-07-28 |
公开(公告)号: | CN111863951A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 毛维;王海永;杨翠;高北鸾;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: |
本发明公开了两种增强型复合栅晶体管及其制作方法,主要解决现有功率开关器件存在的阈值电压低的问题,其包括:衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、栅柱(6)、源极(7)、漏极(8)、台面(9)、栅极(10)和保护层(16)。其中栅柱具有两种结构,第一种结构中的栅柱由P型层(4)和N型层(5)组成,其N型层包括N |
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搜索关键词: | 增强 复合 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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