[发明专利]提取电子器件氧化层中正电荷的方法有效
| 申请号： | 202010735718.0 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN111856164B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 李兴冀;杨剑群;吕钢;应涛 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01R29/24 | 分类号： | G01R29/24 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人： | 胡天人 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种提取电子器件氧化层中正电荷的方法，包括以下步骤：S100、选择P型半导体材料制备成衬底；S200、在衬底上制备N型外延层；S300、在外延层上形成P |
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| 搜索关键词： | 提取 电子器件 氧化 中正 电荷 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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