[发明专利]硅基特定光伏器件界面态的测量方法在审

专利信息
申请号: 202010736268.7 申请日: 2020-07-28
公开(公告)号: CN111884588A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 马忠权;吴康敬;李勇;高明;赵磊;徐飞 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H02S50/10 分类号: H02S50/10
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种硅基特定光伏器件界面态的测量方法,能准确评估硅基异质结光伏器件界面态密度,待测的器件的钝化隧穿介质为超薄准绝缘SiOx层,其厚度≤2.0nm,且内部含有少量金属元素。通常采用深能级瞬态谱方法测量具有较厚氧化物和氮化硅绝缘层的异质结器件界面态密度,然而针对界面层为超薄准绝缘SiOx层时,DLTS等常规方法在正偏压稍高的情况下,易产生电容溢出现象,难以获得界面态信号。因此针对该类异质结器件界面区电子结构的特殊性,本发明采用不低于1.0MHz的高频光注入方式测量器件在黑暗和光照下C‑V特性,结合二极管电容近似和数值计算模型,从上述两种C‑V曲线中提取与界面态相关信息,间接测量得到该类异质结器件的界面态密度。
搜索关键词: 特定 器件 界面 测量方法
【主权项】:
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