[发明专利]SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质在审
| 申请号： | 202010739182.X | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN112083305A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 石帮兵;丁杰钦;李诚瞻;赵艳黎;郑昌伟;焦莎莎;罗烨辉;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;金淼 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本公开提供一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括对处于不同测试温度下的参考SiC MOSFET器件施加预设栅源负电压和预设源漏电流，以测量所述参考SiC MOSFET器件在不同测试温度下的源‑漏二极管结电压；对所有测试温度及其对应的所述参考SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压进行线性拟合，得到源‑漏二极管结电压与温度的线性关系；对待测SiC MOSFET器件施加所述预设栅源负电压和所述预设源漏电流，以测量所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压；利用所述线性关系，根据所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压确定其结温。该方法利用SiC MOSFET器件的结电压在一定的栅源负电压下具有良好线性温敏特性的特点，能够实现器件结温的准确测量。 | ||
| 搜索关键词： | sic mosfet 器件 测量方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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