[发明专利]叉指方式的非对称双向可控硅静电释放器件及其制作方法有效
申请号: | 202010741325.0 | 申请日: | 2020-07-29 |
公开(公告)号: | CN111799258B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 汪洋;李婕妤;魏伟鹏;曹佩;曹文苗 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/06;H01L21/8228 |
代理公司: | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 411105 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种叉指方式的非对称双向可控硅静电释放器件。首先,本发明选用非对称的可控硅结构,利用保护环的路径作为负脉冲来临时的泄放路径,可以避免传统器件存在保护环寄生路径的问题;其次,这种新型的叉指方式可根据增减阴极的数量控制器件防护等级。若器件防护等级高,则增加阴极数量;若器件防护等级低,则减小阴极数量,节省版图面积。通过将内侧叉指的P+浮空,使得内侧叉指的寄生NPN基极电阻加大,同时帮助外侧叉指的开启,使器件导通速度变快以及电流分部更加均匀;最后,整个器件的维持电压一般由最内侧叉指决定,避免了传统叉指方式的器件维持电压随叉指数增加而减小的问题。 | ||
搜索关键词: | 方式 对称 双向 可控硅 静电 释放 器件 及其 制作方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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