[发明专利]一种基于聚光效应的半导体光电探测器在审
申请号: | 202010742575.6 | 申请日: | 2020-07-29 |
公开(公告)号: | CN111952380A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 赵艾青;甘志星;刘慈慧;狄云松 | 申请(专利权)人: | 南京师范大学 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/10 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 施昊 |
地址: | 210024 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于聚光效应的半导体光电探测器,包括透明介质和半导体光电探测器,所述透明介质内部嵌合有荧光材料,透明介质的一侧与所述半导体光电探测器固定连接,透明介质的前壁、后壁、底部以及远离半导体光电探测器一侧的外壁均覆盖镀铝薄膜;所述半导体光电探测器包括半导体材料、ITO玻璃和金属电极,ITO玻璃和金属电极分别连接在半导体材料的两侧,且ITO玻璃与透明介质的一侧固定连接。本发明可以探测指定波长的光,光通过光波导被集中到侧面的半导体表面,会大幅激发半导体中电子或空穴的浓度,使得电流增大,从而提高了灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 聚光 效应 半导体 光电 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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