[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010742796.3 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112310034A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 中岛郁夫;井上真吾 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/66;H01L25/16;H01P3/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王伟;高伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括半导体管芯、基部构件、侧壁、第一导电膜和第二导电膜以及第一导电引线和第二导电引线。基部构件具有导电主表面，该导电主表面包括安装半导体管芯的区域。侧壁包围该区域并且由介电体制成。侧壁包括第一部分和第二部分。第一导电膜和第二导电膜分别设置在第一部分和第二部分上，并且电连接到半导体管芯。第一导电引线和第二导电引线分别导电结合到第一导电膜和第二导电膜。第一部分和第二部分中的至少一个在其面对基部构件的后表面上包括凹部，并且该凹部在对应的导电膜下方的第一部分和第二部分中的所述至少一个与基部构件之间限定间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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