[发明专利]MEMS传感器微桥桥面的制作方法在审
| 申请号： | 202010743895.3 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111960377A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;钟晓兰;沈若曦 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MEMS传感器微桥桥面的制作方法，其包括如下步骤：形成所述MEMS传感器的微桥；在所述MEMS传感器的微桥上形成释放保护层；在所述MEMS传感器的微桥上形成释放保护层和敏感层，所述敏感层中形成有台阶凹槽；所述台阶凹槽的底部停止在所述释放保护层上；其中，所述敏感层的台阶凹槽中填充介质层，并平坦化以使所述敏感层和所述介质层的表面同高度。因此，本发明避免了由于台阶高度过大且侧壁倾斜角度不够引起的金属电极层残留问题。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感器 桥面 制作方法 | ||
【主权项】：
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