[发明专利]一种磷化钴纳米线阵列材料及其应用在审

专利信息
申请号: 202010744210.7 申请日: 2020-07-29
公开(公告)号: CN111957327A 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 刘敏;钱洲亥;毛南平;胡建根 申请(专利权)人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
主分类号: B01J27/185 分类号: B01J27/185;B01J37/08;C25B1/04;C25B11/06;C01B25/08;B82Y40/00
代理公司: 浙江翔隆专利事务所(普通合伙) 33206 代理人: 张建青
地址: 310014 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种磷化钴纳米线阵列材料及其应用。本发明的磷化钴纳米线阵列材料通过以下方法制备:1)将泡沫镍置于1‑5mol/L的盐酸中浸泡,去除表面杂质,将处理后的泡沫镍置于装有水热溶液的聚四氟乙烯内胆中,将聚四氟乙烯内胆放入不锈钢高压反应釜中,反应完成后冷却至室温,取出后用去离子水和乙醇洗净、冷风吹干后即得到钴纳米线阵列覆盖的泡沫镍;2)将覆盖有钴纳米线阵列的泡沫镍放于瓷舟中置于管式炉的下游,将磷化剂NaH2PO2·H2O放于瓷舟中置于管式炉的上游,在Ar氛围下进行热处理,即得到磷化钴纳米线阵列材料。本发明以钴纳米线阵列作为基体,可有效提高活性组分的比表面积,而且具有良好的循环稳定性。
搜索关键词: 一种 磷化 纳米 阵列 材料 及其 应用
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