[发明专利]SLC写性能提升方法、装置、计算机设备及存储介质有效
| 申请号： | 202010744654.0 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111913662B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 冷志源;王伟良;冯元元 | 申请（专利权）人： | 深圳忆联信息系统有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 518067 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及SLC写性能提升方法、装置、计算机设备及存储介质，该方法包括获取来自主机的写数据命令；根据写数据命令分配DRAM或SRAM以进行数据的写入和读取，以得到待写入数据；将所述待写入数据写入Nand Flash中。本发明通过获取写数据命令，并根据写数据命令查询写入的位置，按照数据写入Nand Flash的方式为SLC的命令则写入SRAM内，数据写入Nand Flash的方式为TLC的命令则写入DRAM内的原则，将数据写入并从对应的位置读取后写入至Nand Flash内，解决SLC写性能受DRAM性能瓶颈约束的问题，实现提升SSD SLC写性能，又不增加整体成本。 | ||
| 搜索关键词： | slc 性能 提升 方法 装置 计算机 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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