[发明专利]存储位元的制备方法及MRAM的制备方法在审
| 申请号： | 202010747304.X | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111864059A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王曙光;李辉辉 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/14;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储位元的制备方法及MRAM的制备方法。该制备方法包括形成磁隧道结的步骤，在形成磁隧道结的步骤之后，制备方法还包括以下步骤：对磁隧道结的侧壁进行气体钝化处理，以减少侧壁表面的悬挂键。本发明通过上述气体钝化处理，不仅能够减少侧壁表面的悬挂键，还能够去除表面杂质，并填充表层内部、表面的空位，从而降低缺陷密度，提高了器件稳定性，缓解了刻蚀损伤对TMR等性能参数的影响，能够降低器件阵列的TMR减损率、TMR离散值、临界电压离散值，提高临界磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 位元 制备 方法 mram | ||
【主权项】：
暂无信息
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