[发明专利]抑制可控型采样场效应晶体管负温度特性的器件在审
| 申请号： | 202010748363.9 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111682070A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;胡汶金;赵一尚;郭乔;杨尚翰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制可控型采样场效应晶体管负温度特性的器件，包括：P型衬底、N型漂移区、P型重掺杂一区、N型半导体漏区、P型双重降低表面电场(Double RESURF)区、P型体区、P型重掺杂二区、N型重掺杂区、P型阱区、N型轻掺杂电阻区、第一多晶硅、第二多晶硅、氧化层、漏极金属、栅极金属、导线金属、电流感测电极以及衬底金属；本发明在传统高压C‑SenseFET的基础上，在功率器件源端和Sense电极之间扩散形成阱电阻，并通过金属导线使其与源极连接，实现了高压C‑SenseFET新结构的设计，从而有效抑制了负温特性，降低了温度漂移系数，改善了C‑SenseFET器件的温度特性。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 可控 采样 场效应 晶体管 温度 特性 器件 | ||
【主权项】：
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