[发明专利]集成反馈MOS结构的可控型采样场效应晶体管器件在审
| 申请号： | 202010748589.9 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111682071A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;赵一尚;胡汶金;郭乔;杨耀杰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成反馈MOS结构的可控型采样场效应晶体管器件，包括：P型衬底、N型漂移区、P型重掺杂一区、N型半导体漏区、P型Double RESURF区、P型第一体区、P型重掺杂二区、N型重掺杂一区、P型第二体区、N型重掺杂二区、N型重掺杂三区、P型重掺杂三区、第一多晶硅、第二多晶硅、多晶硅栅极、氧化层、漏极金属、金属、导线金属以及衬底金属；本发明将传统高压C‑SenseFET结构与FB‑MOS结构集成，通过FB‑MOS区域的栅极‑漏极短路连接到C‑SenseFET结构的源极从而提供G2栅极的负偏置，实现了高压C‑SenseFET新结构的设计，在线性区内确保了电流感测值的准确性，在饱和区内确保了充电电流的稳定性，有效地抑制了器件的负温效应，改善了C‑SenseFET的温度特性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 反馈 mos 结构 可控 采样 场效应 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
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