[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010748817.2 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN112310224A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 姜秉坤;金昌汎;李达熙;崔银希 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02;H01L23/48;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：第一栅电极，设置在基板上并在第一水平方向上延伸；第一栅极接触和虚设栅极接触，在第一水平方向上彼此间隔开并与第一栅电极的顶表面接触；第一互连线，在第二水平方向上延伸并在关于基板的上表面的垂直方向上与第一栅极接触重叠；以及电压发生器，配置为产生第一电压并经由第一互连线和第一栅极接触将第一电压施加到第一栅电极。第一栅电极经由第一互连线和第一栅极接触从电压发生器接收第一电压。虚设栅极接触经由第一栅电极接收第一电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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