[发明专利]用于PECVD设备的原位清洗方法及对应的PECVD设备在审
申请号: | 202010749081.0 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN111850510A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 吴科俊;张津燕;马哲国;陈金元 | 申请(专利权)人: | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/505 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201306 上海市浦东新区自由*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供用于PECVD设备的原位清洗方法及相应的PECVD设备。所述方法包括:第一步骤,向PECVD设备的反应腔室通入含氟清洗气体并将其压强调节至第一压强,开启射频发生器并持续第一预设时间;第二步骤,持续通入含氟清洗气体并将反应腔室压强调节至第二压强,保持射频发生器持续开启第二预设时间;第三步骤,持续通入含氟清洗气体并将其压强调节至第三压强,保持射频发生器持续开启第三预设时间;第四步骤,持续通入含氟清洗气体并将其压强调节至第四压强,保持射频发生器持续开启第四预设时间;以及第五步骤,持续通入含氟清洗气体并将其压强调节至第五压强,保持射频发生器持续开启第五预设时间;其中第一至第五压强依次减小。本发明能有效提高清洗效率。 | ||
搜索关键词: | 用于 pecvd 设备 原位 清洗 方法 对应 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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