[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 202010750028.2 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN112530969B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 豊永一成 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种可靠性提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备衬底、第1晶体管、导电层、柱、及电荷储存膜，所述衬底包含第1导电类型的第1区域、及第1导电类型的第2区域，所述第1晶体管具有：第1绝缘膜，设置在第1区域及第2区域之上；第1导电类型的第1配线，设置在第1区域之上，电连接于第1区域，且第1导电类型杂质浓度比第1区域更高；及第1导电类型的第2配线，设置在第2区域之上，电连接于第2区域，且第1导电类型杂质浓度比第2区域更高；所述导电层与该衬底面平行地设置在第1晶体管的上方，所述柱贯通导电层，且包含半导体膜，所述电荷储存膜设置在半导体膜与导电层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司，未经铠侠股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010750028.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
