[发明专利]一种高场非对称波形离子迁移谱仪在审
申请号: | 202010751195.9 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN111933511A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 唐飞;曾悦;王晓浩 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01J49/06 | 分类号: | H01J49/06 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 邸更岩 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种平板型高场非对称波形离子迁移谱仪,该离子迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测区;其中迁移区内包括由两个上下电极构成的电极对,其中一个电极为栅型平板电极,另一个为金属平板电极。在此电极对上施加非对称波形电压,会在迁移区内产生空间不均匀分布的非对称波形电场。在这种电场下,特定离子在迁移区内产生向迁移区中心面的运动趋势,即产生迁移区内的离子聚焦。迁移区内的离子聚焦使得离子在迁移区内的扩散损失降低,从而提高了离子在迁移区内的通过效率。这种离子迁移谱仪能提高仪器的灵敏度,在相同的条件下,本发明的离子迁移谱仪测得的信号强度与现有平板型非对称波形离子迁移谱仪的信号强度相比有显著提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 高场非 对称 波形 离子 迁移 | ||
【主权项】:
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