[发明专利]一种浮栅型FLASH突触器件结构及其制备方法

摘要

本发明公开一种浮栅型FLASH突触器件结构及其制备方法，属于微电子集成电路技术领域。浮栅型FLASH突触器件单元包括2个共浮栅且共控制栅的FLASH管：1个pFLASH管T1和1个nFLASH管T2；所述pFLASH管T1和所述nFLASH管T2通过共栅方式控制pFLASH管T1和nFLASH管T2多种存储信息状态，以建立T1和T2的STDP学习函数，实现该FLASH突触器件的LTD与LTP基本功能。本发明基于共浮栅和共享电荷技术实现了浮栅电荷量对沟道电阻改变，进而可以转化为编程时间脉冲与导通电阻或读取电流之间的权重关系，实现突触器件的LTP和LTD功能。该器件具有低功耗、编程时间短、多电阻分布区的特点，结构工艺兼容于CMOS，步骤简单，安全可靠，在人工神经网络应用方面有着广泛的应用前景。