[发明专利]硅异质结太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 202010754118.9 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN112054068B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 徐琛 | 申请(专利权)人: | 隆基绿能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开一种硅异质结太阳能电池及其制作方法,涉及太阳能电池技术领域,以提高硅异质结太阳能电池的可靠性。太阳能电池的制作方法包括:提供一异质结硅基底;异质结硅基底具有相对的第一面和第二面;在第一面上依次形成第一透明导电膜和第一电极栅线;在第一透明导电膜以及第一电极栅线上形成第一钝化膜;在第一电极栅线的至少第一焊接区域上涂覆第一刻蚀浆料,以去除第一焊接区域上的第一钝化膜。硅异质结太阳能电池采用上述制作方法制作。 | ||
搜索关键词: | 硅异质结 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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