[发明专利]非易失性存储器、非易失性存储器系统及读取和写入方法在审

专利信息
申请号: 202010754428.0 申请日: 2020-07-30
公开(公告)号: CN111755052A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 庞理;韩小炜 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;G06F3/06;G06F12/02
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 李星宇;郑建晖
地址: 710075 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及非易失性存储器,所述非易失性存储器包括多个存储器单元和与模块,所述非易失性存储器被配置成:响应于接收到的读取地址,读取所述读取地址的存储位中耦合的至少两个存储器单元的状态,以及将读取出的所述至少两个存储器单元的状态传递到所述与模块,其中所述与模块被配置成对读取出的所述至少两个存储器单元的状态执行与运算,以获得所述读取地址中所存储的数据。本发明还涉及非易失性存储器系统、读取和写入非易失性存储器的方法。
搜索关键词: 非易失性存储器 系统 读取 写入 方法
【主权项】:
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