[发明专利]激光退火设备的晶圆位置监控装置和方法有效
| 申请号： | 202010756265.X | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111785667B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 裴雷洪;龙吟;顾海龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66;H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激光退火设备的晶圆位置监控装置，激光退火设备包括真空吸盘和激光光源；真空吸盘用于放置晶圆；激光光源用于提供激光光束，激光光束通过以真空吸盘的中心点作为坐标原点的扫描的方式对晶圆进行激光退火；晶圆位置监控装置包括晶边扫描装置和晶圆位置判定装置；晶边扫描装置用于抓取激光退火后的晶圆边缘信息；晶圆位置判定装置根据晶圆边缘信息判定晶圆位置是否偏离；如果晶圆位置有偏离，则根据偏离大小校正晶圆的放置位置。本发明公开了一种激光退火设备的晶圆位置监控方法。本发明能对晶圆的位置进行精确测量和调整，能防止破片发生；能提高调整晶圆传送位置的速率以及消除人工误差。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 设备 位置 监控 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
