[发明专利]一种闪存单元及其制造方法在审
| 申请号： | 202010756531.9 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111755528A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 王萱;孙中琳;刘尚;刘大铕 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 赵玉凤 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种闪存单元，包括栅极、覆盖在栅极上的氧化硅隔离层、覆盖在氧化硅隔离层上的电子势阱层和覆盖在电子势阱层上的隧穿层，隧穿层上设有沟道，沟道的两端为源极和漏极，所述沟道为氧化镓铟沟道，所述电子势阱层为氮化硅电子势阱层，所述隧穿层为氧化铝隧穿层。本发明采用氧化镓铟作为沟道，可以降低闪存的功耗，采用氮化硅单子势阱层提高可靠性，并且能够获得较大的存储窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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