[发明专利]一种固熔Ti(C,N)免烧硅莫砖及其制备方法有效
申请号: | 202010757417.8 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN112028641B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 孔祥魁;康剑;马淑龙;马飞;王治峰;孙艳粉;张积礼;倪高金;高长贺 | 申请(专利权)人: | 北京金隅通达耐火技术有限公司;巩义通达中原耐火技术有限公司 |
主分类号: | C04B35/66 | 分类号: | C04B35/66 |
代理公司: | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人: | 许艳敏 |
地址: | 100085 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种固熔Ti(C,N)免烧硅莫砖及其制备方法。该免烧硅莫砖由以下重量百分含量的组分制备而成:固溶Ti(C,N)电熔莫来石72~85%、碳化硅1~5%、煅烧氧化铝粉5~15%、结合粘土3~8%;外加占上述组分总重量3~5%的结合剂。该免烧硅莫砖以固溶Ti(C,N)的电熔莫来石为主要原料,利用低品位铝土矿生产制备,避免了高品位铝土矿资源的消耗,能够充分利用资源富足的低品位铝土矿资源,且生产的硅莫砖性能突出;该硅莫砖在制备过程中,采用低温处理不需要高温烧成,相对于传统硅莫砖的制备缩短了生产周期、降低了生产成本,也避免了高温过程中污染物的排放,有利于环境保护和铝土矿的综合利用,具有明显的社会经济效益。 | ||
搜索关键词: | 一种 ti 免烧硅莫砖 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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