[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 202010760341.4 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111799179B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 张程;谢岩 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供前端器件，所述前端器件包括介质层、嵌设于所述介质层中的金属层以及覆盖所述介质层的第一衬底；在所述第一衬底上方形成掩膜层；对掩膜层的周圈边缘修边；以修边后的掩膜层为掩膜，刻蚀去除开口下方的所述第一衬底；对修边后的掩膜层表面处理，以去除修边后的掩膜层表层的浮电荷；以表面处理后的修边后的掩膜层为掩膜，进一步刻蚀开口下方的介质层。对掩膜层的周圈边缘修边；以及对掩膜层表面处理，以去除掩膜层表层的浮电荷，均避免了掩膜层的边缘尖端放电被烧蚀从而进一步损伤晶圆，在晶圆介质层深孔刻蚀工艺中解决晶圆边缘发生掩膜层烧蚀的问题，提高晶圆的质量和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
