[发明专利]一种紫外LED芯片结构有效
| 申请号： | 202010761695.0 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111769187B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 周启航 | 申请（专利权）人： | 佛山紫熙慧众科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外LED芯片结构，包括由下至上依次设置的n型层、有源区多量子阱和p型层，在p型层的上表面设置一层AlN/AlGaN空穴电流扩展异质结构；本技术方案中，通过在p型层上表面外延一层AlN/AlGaN空穴电流扩展异质结构，可利用该异质结构形成的沟道实现空穴的快速迁移，实现空穴在芯片平面内的均匀分布，有效规避p型氮化物的较高电阻形成的电阻拥堵效应，使空穴在芯片的各个角落得以均匀注入到紫外LED芯片的有源区多量子阱中，最终提高紫外LED芯片的内部量子效率，推动氮化物基紫外LED的效率提升与应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
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