[发明专利]钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池及其制备方法和太阳能系统在审

专利信息
申请号: 202010762388.4 申请日: 2020-07-31
公开(公告)号: CN114068750A 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 刘祖辉;陈龙;蒋方丹 申请(专利权)人: 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
主分类号: H01L31/0725 分类号: H01L31/0725;H01L31/0747;H01L31/20;H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 代理人: 曹雪荣
地址: 314000 浙江省嘉兴市秀*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池及其制备方法和太阳能系统,其中,钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池的结构包括硅异质结层、顶钙钛矿层、底钙钛矿层,其中,所述顶钙钛矿层通过第一复合连接层形成在所述硅异质结层的正面,所述底钙钛矿层通过第二复合连接层形成在所述硅异质结层的背面。由此,该太阳能电池具有效率高、成本低,输出功率大的优点。由于钙钛矿层材料较异质结材料成本较低,在同一硅异质结上设置上下两层钙钛矿层,可减少硅异质结的使用,降低硅片衬底的浪费,充分利用了异质结高开路电压、温度系数低、效率高的优势,同时双面叠层,也可以充分利用了太阳光,提高电池效率。
搜索关键词: 钙钛矿 硅异质结 双面 太阳能电池 及其 制备 方法 太阳能 系统
【主权项】:
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