[发明专利]钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池及其制备方法和太阳能系统在审
申请号: | 202010762388.4 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN114068750A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 刘祖辉;陈龙;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0725 | 分类号: | H01L31/0725;H01L31/0747;H01L31/20;H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人: | 曹雪荣 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴市秀*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池及其制备方法和太阳能系统,其中,钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池的结构包括硅异质结层、顶钙钛矿层、底钙钛矿层,其中,所述顶钙钛矿层通过第一复合连接层形成在所述硅异质结层的正面,所述底钙钛矿层通过第二复合连接层形成在所述硅异质结层的背面。由此,该太阳能电池具有效率高、成本低,输出功率大的优点。由于钙钛矿层材料较异质结材料成本较低,在同一硅异质结上设置上下两层钙钛矿层,可减少硅异质结的使用,降低硅片衬底的浪费,充分利用了异质结高开路电压、温度系数低、效率高的优势,同时双面叠层,也可以充分利用了太阳光,提高电池效率。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿 硅异质结 双面 太阳能电池 及其 制备 方法 太阳能 系统 | ||
【主权项】:
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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