[发明专利]一种超高精度的硅象限光电探测器有效
申请号: | 202010762493.8 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN112054075B | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 卜京;王亚赫;卜晖;朱华海 | 申请(专利权)人: | 重庆鹰谷光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/103 |
代理公司: | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人: | 程宇 |
地址: | 400000 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开一种超高精度的硅象限光电探测器,在各象限光敏元之间及其周围的衬底表面设置一个环极,该环极是用与衬底同型杂质,并与衬底背面电极同时扩散或注入形成的高低结,该环极通过引线与衬底背面的各象限光敏元的公共电极直接相连;在“双四”象限光电探测器的“内四”与“外四”象限光敏元之间不设置环极,在“单四”象限光电探测器的光敏元外沿所对应的环极中央部位,开设一个宽度为该光敏元外沿弧长的1/2~1/4的缺口。当带有环极缺口的该光敏元光照较强时,光敏元所产生的部分光生载流子,可以经电子通道分别进入“双四”的“外四”光敏元和“单四”光敏元周边的隔离二极管,从而提高光电探测器的饱和光功率,实现制导系统“深控”的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 超高 精度 象限 光电 探测器 | ||
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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