[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010762878.4 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN114063322A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 程东向;代洪刚;刘俊;曹恒;周朝锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一介质层以及分立于第一介质层上的第一金属层和第二金属层；在第一金属层和第二金属层之间的第一介质层上形成调节层；形成覆盖第一金属层、第二金属层以及调节层的第二介质层。调节层上的第二介质层的厚度与第一金属层上的第二介质层的厚度相差较小，调节层上的第二介质层的厚度与第二金属层上的第二介质层的厚度相差较小，相应的，刻蚀第二介质层，形成露出第一金属层、第二金属层以及调节层的开口的过程中，第一金属层和第二金属层上的开口先形成，调节层上的开口后形成，调节层受损伤较小，调节层的形成质量较高，有利于提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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