[发明专利]基板处理装置、基板支撑件以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010763399.4 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112309927A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 寿崎健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及基板处理装置、基板支撑件以及半导体装置的制造方法。本发明在提高在基板上形成的膜的厚度均匀性的同时，能抑制对基板和在基板上形成的膜的金属污染。本发明提供一种基板处理装置，具备：基板支撑件，该基板支撑件具有由金属构成的支柱和设置于支柱且多段支撑多个基板的多个支撑部，容纳基板支撑件支撑的多个基板的处理室和对容纳在处理室内的多个基板进行加热的加热部，多个支撑部的至少与多个基板接触的接触部由金属氧化物或非金属物的至少任一种构成。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 支撑 以及 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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