[发明专利]半导体存储装置

摘要

实施方式提供一种能够实现擦除动作的速度提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：层叠体，具有多个导电层和多个绝缘层，导电层和绝缘层沿第一方向交替层叠；以及柱状体，在所述层叠体内沿所述第一方向延伸，包含半导体主体和设置于所述多个导电层中的至少一个与所述半导体主体之间的电荷蓄积膜，所述多个导电层中的第一导电层与所述半导体主体连接，所述半导体主体，以沿所述第一方向距与所述第一导电层的连接部位近的顺序、具有n型杂质的浓度比p型杂质的浓度高的第一区域和p型杂质的浓度比n型杂质的浓度高的第二区域。