[发明专利]一种高纯α相碳化硅粉料的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010766811.8 申请日: 2020-08-03
公开(公告)号: CN114057196B 公开(公告)日: 2023-05-05
发明(设计)人: 朱一鸣;周芳享;周维 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: C01B32/984 分类号: C01B32/984
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 熊永强
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种高纯α相碳化硅粉料的制备方法,包括:在石墨坩埚的底部铺设第一阻隔材料,将高纯硅粉和高纯碳粉混合成的粉末原料装填在第一阻隔材料上,还在石墨坩埚的侧壁与粉末原料之间装填第二阻隔材料,并在粉末原料内装填气流疏导材料;其中,第二阻隔材料与气流疏导材料的装填高度均高于粉末原料的装填高度;将完成装料的石墨坩埚置于加热炉中,抽至真空后,在充入惰性气体下将炉内温度从室温升至碳化硅粉料的合成温度,保温后降至室温,收集碳化硅块体,对其研磨、退火后,得到高纯α相碳化硅粉料。该制备方法操作简单,所得产物的纯度高、产量大,所用坩埚不会被烧结。
搜索关键词: 一种 高纯 碳化硅 制备 方法
【主权项】:
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