[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010767638.3 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN111883590A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡文必;孙希国;刘胜厚 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 许书音 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基半导体器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域。该氮化镓基半导体器件包括衬底、依次形成于衬底上的氮化镓基外延层和介质层。其中，介质层上形成有沉积孔，沉积孔内填充有正面金属层，衬底上形成有背面通孔，背面通孔贯穿氮化镓基外延层；衬底远离氮化镓基外延层的一侧及背面通孔内沉积有背面金属层，背面通孔内的背面金属分别与正面金属层和介质层接触连接。该氮化镓基半导体器件能够改善背面金属的粘附性，从而提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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