[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202010768531.0 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN114068709B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：包括：衬底，衬底包括真鳍部区和伪鳍部区；伪鳍部，位于伪鳍部区，包括伪鳍部第一区，所述伪鳍部第一区包括第一根鳍部和位于第一根鳍部上的第一绝缘层；真鳍部，位于真鳍部区，包括真鳍部第一区，真鳍部第一区包括第二根鳍部，所述伪鳍部位于所述真鳍部的两侧；源漏掺杂层，位于所述第二根鳍部上；利用第二根鳍部两侧的第一绝缘层的高度引导源漏掺杂层的高度，使得源漏掺杂层的高度能够得到很好的控制，源漏掺杂层的高度均匀性更好控制，从而使得半导体器件的性能均匀度更好，半导体器件性能的差异性得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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