[发明专利]一种大尺寸111晶向低位错密度InSb晶体生长方法在审
| 申请号： | 202010770751.7 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN111910255A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 赵超;董涛;程波;彭志强;贺利军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B15/00 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 罗丹 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大尺寸111晶向低位错密度InSb晶体生长方法，本发明通过对大尺寸111晶向低位错密度InSb晶体生长方法创新性的设计，使得该方法能够稳定的控制晶体生长过程中的热应力以及In‑Sb比例，降低位错的遗传效应，抑制位错形成和增殖，降低位错密度，最终提高InSb材料的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 111 低位 密度 insb 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
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