[发明专利]一种红外探测器及其制备方法有效
申请号: | 202010771103.3 | 申请日: | 2020-08-04 |
公开(公告)号: | CN112071924B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 杨为家;邱晨;吴质朴;何畏 | 申请(专利权)人: | 深圳市奥伦德元器件有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/02;H01L31/109;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 孙浩 |
地址: | 518100 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种红外探测器及其制备方法,包括:第一电极;Si基红外探测器,所述Si基红外探测器与所述第一电极连接;Si‑GeSi‑Ge纳米柱,述Si‑GeSi‑Ge纳米柱与所述Si基红外探测器连接;第二电极,所述第二电极与所述Si‑GeSi‑Ge纳米柱连接。所述Ge壳层具有较强的金属属性,可以与金属电极形成良好的界面接触,提高器件的光生载流子的提取效率;与此同时,可以使整个外加的偏压电场分布得更加均匀,有利于缩短光生载流子的迁移路径。Si‑GeSi‑Ge纳米柱可以起到减反膜的作用,同时其量子效应可以帮助提高对光的吸收效率。Si与Ge可以形成良好的异质结,提高对光的吸收效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的