[发明专利]一种基于HEMT的环形开口太赫兹幅度调制器和制作方法有效
| 申请号： | 202010772341.6 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN111884593B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 马勇;潘武;杨力豪;杨龙亮;何金橙;肖惠云 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H03C1/00 | 分类号： | H03C1/00;H03C1/36;H04L27/04;G02F1/01 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 李朝虎 |
| 地址： | 400000 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于HEMT的环形开口太赫兹幅度调制器及其制作方法，包括：半导体衬底、位于半导体衬底表面的外延层，外延层上设置有调制阵列、肖特基电极和欧姆电极；所述调制阵列由M×N个调制阵元周期排列组成，调制阵元由4个开口圆环形的结构单元构成，结构单元开口处匹配一个高电子迁移率晶体管，高电子迁移率晶体管的栅极通过栅极馈线与肖特基电极连接后连接电源负极，高电子迁移率晶体管的源极和漏极分别连接结构单元开口的两侧，结构单元通过源漏馈线与欧姆电极连接后连接电源正极。通过外加偏置电压控制高电子迁移率晶体管来进行超表面谐振模式的转换，实现对自由空间传播的太赫兹波的快速调幅，结构单元不同模式相互转换以达到多个频点的调制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 hemt 环形 开口 赫兹 幅度 调制器 制作方法 | ||
【主权项】：
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