[发明专利]一种高通量细胞培养芯片的结构及其制作与使用方法在审

专利信息
申请号: 202010772736.6 申请日: 2020-08-04
公开(公告)号: CN112063510A 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 罗春雄;陈凯悦;荣楠;沈雯婷;高子晴;欧阳颀 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: C12M1/34 分类号: C12M1/34;C12M1/00;C12Q1/02
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 钱云
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种高通量细胞培养芯片的结构及其制作与使用方法,包括培养层芯片和进样层芯片;培养层芯片包括若干主通道结构和与主通道结构对应连通的多个分支结构;每个分支结构包括培养层连接区;进样层芯片包括:多个通道结构;每个通道结构均包括:多个进样层连接区;每个进样层连接区均与分支结构上的一培养层连接区连通。本发明提供的高通量细胞培养芯片的结构,通过将培养层芯片中的培养层连接区与进样层芯片中的进样层连接区连通,通过不同功能流道的分层连接结构,大幅简化了针对不同环境培养的细胞样品进样流程,使多种标记的细胞能够直接通过进样层芯片被装载入不同培养环境的培养层芯片,实现高通量的定量研究细胞在不同环境下的检测。
搜索关键词: 一种 通量 细胞培养 芯片 结构 及其 制作 使用方法
【主权项】:
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