[发明专利]成膜方法在审
| 申请号： | 202010772873.X | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN112391605A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 佐藤润;菊地宏之;深田健宏 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/455;C23C16/513 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及成膜方法。提供一种技术，其能够将硅氧化膜埋入于凹部而不容易因随后的蚀刻工序出现接缝。基于本公开的一个方式的成膜方法具有如下步骤：使氨基硅烷气体吸附于表面形成有凹部的基板上的步骤；向上述基板供给氧化气体，对吸附于上述基板上的上述氨基硅烷气体进行氧化，从而使硅氧化膜堆积于上述基板上的步骤；和，利用等离子体将包含氮气及氢气的混合气体活化后供给至上述硅氧化膜，从而进行上述硅氧化膜的改性处理的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
