[发明专利]一种氮化镓基大功率芯片散热结构在审
| 申请号： | 202010774407.5 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN111968952A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 周德金;闫大为;黄伟;陈珍海;戴金;于理科;夏华秋 | 申请（专利权）人： | 清华大学无锡应用技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/467 | 分类号： | H01L23/467;H01L23/40;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 214062 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基大功率芯片散热结构，包括散热底板、安装底座，所述散热底板的顶部从下至上依次设置有三氧化二铝衬底层、N型氮化镓子层、P型氮化镓子层和透明导电层，所述散热底板顶部的四角均固定连接有支撑杆，四个所述支撑杆的顶端之间固定连接有顶板，所述顶板上设置有移动散热机构，散热底板上设置有卡紧安装机构，本发明涉及大功率芯片技术领域。该氮化镓基大功率芯片散热结构，通过驱动电机、驱动轴、转盘、第一齿牙、第二齿牙的配合，便于带动回形框左右往复运动，进一步可带动移动风扇左右运动，能对芯片整体进行散热，且通过移动风扇的左右移动，可防止芯片表面积累灰层，使得散热效果更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 大功率 芯片 散热 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学无锡应用技术研究院，未经清华大学无锡应用技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010774407.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
