[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010776831.3 申请日: 2020-08-05
公开(公告)号: CN112750839A 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 赤穂雅之;野口充宏;辰巳雄一 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L27/11529 分类号: H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的半导体装置具备:衬底;多个第1配线层,在与衬底的表面交叉的第1方向积层,并包含多个导电构件;及第2配线层,比多个第1配线层离衬底更远,并包含焊垫电极。多个第1配线层分别具备从第1方向观察时与焊垫电极重叠的焊垫区域。在焊垫区域的以第1点为中点的第1假想圆的内侧区域,未设置导电构件。在焊垫区域的以第1点为中点且半径为第1假想圆的半径以上的第2假想圆的外侧区域,设置有以特定图案配置的导电构件、或配置在该整个区域的导电构件。如果将第1假想圆的半径设为R1,将第2假想圆的半径设为R2,那么R2/R1小于1/cos(π/4)。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司,未经铠侠股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010776831.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top