[发明专利]一种应用硅微纳结构增强磁光效应的衬底在审
| 申请号： | 202010777068.6 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN111856788A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应用硅微结构增强磁光效应的衬底，包括基底和周期排列的微结构单元，微结构单元为一维线栅形，微结构单元周期性地置于基底上，微结构单元包括第一微纳结构部、第二微纳结构部和磁性材料部，磁性材料部置于第一微纳结构部和第二微纳结构部之间，第一微纳结构部和第二微纳结构部的材料为硅。应用时，入射光倾斜照射微结构单元，不仅在硅材料的第一微纳结构部和第二微纳结构部之间激发出同方向的电场，而且在第一微纳结构部和第二微纳结构部内激发出磁场，改变了磁性材料内的磁矩，更进一步地提高了磁光效应的强度，在磁光效应应用方面具有良好的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用 硅微纳 结构 增强 磁光效应 衬底 | ||
【主权项】：
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