[发明专利]免洗高镍单晶镍钴锰酸锂正极材料的制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 202010777526.6 申请日: 2020-08-05
公开(公告)号: CN111916724A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 曹栋强;龚丽锋;方明;张有新;王红忠;黄飞中 申请(专利权)人: 浙江中金格派锂电产业股份有限公司
主分类号: H01M4/485 分类号: H01M4/485;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/58;H01M10/0525
代理公司: 绍兴市越兴专利事务所(普通合伙) 33220 代理人: 蒋卫东
地址: 312000 浙江省绍兴市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及新能源汽车用锂离子动力电池技术领域,具体涉及一种高镍单晶锂离子电池镍钴锰酸锂正极材料的制备方法。一种免洗高镍单晶镍钴锰酸锂正极材料的制备方法,包括以下步骤:(1)将氢氧化锂和添加剂溶解于去离子水中,待完全溶解后,加入小粒晶、球状的NCM三元前驱体,搅拌;(2)将步骤(1)搅拌后的浆料进行动态蒸干,过筛,获得分散性较好的粉体物料;(3)在富氧的气氛条件下,进行一次烧结;将烧结后的材料进行颚破、对辊、气流粉碎、过筛,得到单晶一烧基材;(4)将单晶一烧基材与含B元素的酸性包覆剂进行混合,在二氧化碳和氧气的复合气氛条件下,再次进行烧结,然后将其进行气流粉碎、过筛,得到产品。
搜索关键词: 免洗高镍单晶镍钴锰酸锂 正极 材料 制备 方法 应用
【主权项】:
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