[发明专利]一种高纯碳化硅晶体电阻率的检测方法和装置在审
| 申请号： | 202010777544.4 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN112067663A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李帅;赵建国;李乃庆 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04;G01R27/02;G01N21/25 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 刘晓佳 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种高纯碳化硅晶体电阻率的检测方法和装置，所述检测方法包括以下步骤：用光源照射碳化硅晶体，检测碳化硅晶体的透光波长，比较所述透光波长与标准颜色波长范围的大小，根据比较结果判断电阻率是否合格；所述标准颜色波长范围是电阻率合格的标准碳化硅晶体用同一光源照射后具有的透光颜色波长的数值范围。本申请提供的碳化硅晶体的电阻率检测方法和装置，具有很高的精确性，并且步骤简单，可操作性强，对测试环境要求低，适用生产现场，能够减轻精密检测步骤的工作量和成本，提高生产效率，特别是为采用物理气相传输法制备的高纯碳化硅晶体的电阻率初步评价提供参考依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 碳化硅 晶体 电阻率 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
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