[发明专利]用于吹扫半导体处理室狭缝阀开口的装置在审
申请号: | 202010781138.5 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN112117214A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 班亚·翁森纳库姆;彼得·科洛托夫 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于吹扫半导体处理室狭缝阀开口的装置。提供了一种半导体处理室,其可以包括:延伸穿过室壁并具有限定开口的内通道表面的晶片传送通道,包括限定插入件开口的插入件内表面的插入件,以及气体入口。所述晶片传送通道的至少部分地围绕所述内通道表面延伸并从所述内通道表面向外偏移的第一凹陷表面、至少部分地围绕所述插入件内表面延伸并从所述插入件内表面向外偏移的第一插入件外表面、以及在所述内通道表面和所述第一凹陷表面之间延伸的第一壁表面至少部分地限定流体连接到气体入口的气体分配通道,所述第一凹陷表面与所述第一插入件外表面分开第一距离,并且插入件前表面面向所述第一壁表面并与所述第一壁表面分开第一间隙距离。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 处理 狭缝 开口 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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