[发明专利]存储器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种存储器件及其制造方法。存储器件包括:衬底；至少一个硅贯穿接触结构，贯穿衬底；至少一个背侧隔离结构，与硅贯穿接触结构并列设置，包括贯穿衬底的第一沟槽，位于第一沟槽侧壁处的绝缘层和位于第一沟槽内部的导电层，绝缘层将导电层和衬底隔离。本申请通过增大背侧隔离结构的第一沟槽的尺寸，在第一沟槽中依次形成绝缘层和导电层的工艺，简化了形成隔离结构的填充工艺，提升了隔离结构的隔离效果。并且背侧隔离结构中在第一沟槽内部填充导电层，使得隔离结构中不单为绝缘层，减少了绝缘材料的使用降低了成本。