[发明专利]一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法有效
| 申请号： | 202010783751.0 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN111934186B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 任占强;李波;李青民;王宝超;李喜荣;仇伯仓 | 申请（专利权）人： | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 郑丽红 |
| 地址： | 710077 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法，解决现有半导体激光器芯片COBD和COMD的判断成本较高、判断时间较长、生产效率较低的问题。该方法包括：步骤一、设置加载电流；步骤二、将加载电流加载在半导体激光器芯片上；步骤三、采集半导体激光器芯片的电流‑功率曲线、电流‑电压曲线；步骤四、若电流‑功率曲线突然下降，同时，电流‑电压曲线突然上升，则判断芯片的光学灾变为COMD；若电流‑功率曲线突然下降，同时，电流‑电压曲线突然下降，则判断芯片的光学灾变为COBD。本发明方法无需专业设备，只需采集测试过程中的电流、功率值和电压值，即可进行COBD和COMD的判断，检测设备简单、成本较低，只需普通技术人员即可实现失效的判断。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 判断 半导体激光器 芯片 光学 灾变 类型 方法 | ||
【主权项】：
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