[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010783980.2 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN111968959A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 胡思平;巴特尔 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：第一芯片，所述第一芯片包括层叠设置的第一芯片基底和第一互联键合层，所述第一互联键合层内设有至少一个第一金属层以及至少一个第一附加器件，所述第一金属层和所述第一芯片基底连接，从而使互联键合层除了本身连接承载功能外，还具有其他功能，提高了互联键合层的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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