[发明专利]刻蚀槽在审
申请号: | 202010784519.9 | 申请日: | 2020-08-06 |
公开(公告)号: | CN111883467A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 邹威;刘杰;胡永红;周建;赵健;石云天 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 赵洋;刘铁生 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种刻蚀槽,涉及显示技术领域,主要为了解决现有刻蚀槽盖板在使用过程中内表面会聚集大量水珠并掉落至刻蚀槽内,造成OLED面板刻蚀不均的问题;本发明主要技术方案为:一种刻蚀槽,其包括刻蚀槽本体和盖板,所述盖板可拆卸的设置于所述刻蚀槽本体的开口上,所述盖板具有第一表面,当所述盖板罩盖于所述刻蚀槽本体的开口时,所述第一表面朝向所述刻蚀槽本体;所述第一表面上设有吹气装置,所述吹气装置设有吹气口,用于向所述第一表面吹气,以形成平行所述第一表面且覆盖所述第一表面的气膜;此外,本方案可以对第一表面上附着的颗粒物以及脏污进行清洁,防止颗粒物或脏污掉落至刻蚀槽本体内影响刻蚀均一性。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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