[发明专利]一种多层外延MOS管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010784831.8 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112133740A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 互升科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州一锐专利代理有限公司 44369 | 代理人： | 杨昕昕;董云 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应管领域，提供一种多层外延MOS管器件及其制备方法，用于提高场效应管的耐压性能。本发明提供的一种多层外延MOS管器件，包括：在SOI衬底上，形成覆盖所述SOI衬底的第一外延层，在所述第一外延层上开垂直槽，外延填充，将槽填满；在第一外延层上形成第二外延层。可以提高场效应管的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 外延 mos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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