[发明专利]基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法。通过电子束蒸发镀膜机在石墨烯/SiO2/Si基底上蒸镀ZnS纳米颗粒膜和Au，再通过PVD在Au/ZnS纳米颗粒膜/石墨烯/SiO2/Si上生长ZnS纳米线，从而制备出ZnS纳米线膜/ZnS纳米颗粒膜/石墨烯/SiO2/Si的光探测器。由于ZnS纳米线是单晶结构，相对ZnS纳米颗粒的多晶结构来说，ZnS纳米线的导电性更加优异，因此ZnS纳米线制备的光探测器在吸光后产生的电子‑空穴对更有利于转移到石墨烯上，有效提高开关比、响应度等光电性能。